一種無機(jī)半導(dǎo)體超級納米粒子及其制備方法專利登記公告
專利名稱：一種無機(jī)半導(dǎo)體超級納米粒子及其制備方法
摘要：本發(fā)明提供了一種無機(jī)半導(dǎo)體超級納米粒子以及制備方法，該無機(jī)半導(dǎo)體超級納米粒子的制備方法包括將含有陽離子配位劑和負(fù)電荷穩(wěn)定劑的水溶液的pH值調(diào)節(jié)至8-10，并向該水溶液中加入陰離子配位劑，然后以0.1-2℃/分鐘的加熱速率升溫至40-100℃，其中，所述陽離子配位劑中的陽離子與所述陰離子配位劑中的陰離子能夠形成沉淀。根據(jù)本發(fā)明提供的所述無機(jī)半導(dǎo)體超級納米粒子的制備方法，無需實施組裝過程即可直接形成無機(jī)半導(dǎo)體超級納米粒子，從而簡化了無機(jī)半導(dǎo)體超級納米粒子的制備過程，而且，整個制備過程中無需使用有機(jī)溶劑，不會造
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201110069175.4
專利申請（專利權(quán)）人：國家納米科學(xué)中心
專利發(fā)明（設(shè)計）人：唐智勇;夏云生
主權(quán)項：一種無機(jī)半導(dǎo)體超級納米粒子的制備方法，其特征在于，該方法包括將含有陽離子配位劑和負(fù)電荷穩(wěn)定劑的水溶液的pH值調(diào)節(jié)至8?10，并向該水溶液中加入陰離子配位劑，然后以0.1?2℃/分鐘的加熱速率升溫至40?100℃，其中，所述陽離子配位劑中的陽離子與所述陰離子配位劑中的陰離子能夠形成沉淀。
專利地區(qū)：北京
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