硅錠及其制造裝置和方法、硅晶圓、太陽能電池和硅零件專利登記公告

專利名稱：硅錠及其制造裝置和方法、硅晶圓、太陽能電池和硅零件

摘要：本發(fā)明提供一種硅錠制造裝置、硅錠的制造方法及硅錠、硅晶圓、太陽能電池和硅零件，所述硅錠制造裝置能夠制造雜質(zhì)量較少且雜質(zhì)量的偏差較小的硅錠，其具有載置于坩堝上的蓋，在蓋的平面中心附近連接有惰性氣體供給構(gòu)件，蓋具有：載置部，載置于坩堝的側(cè)壁上端面；檐部，從坩堝的側(cè)壁外邊向外側(cè)突出；及開口部，沿厚度方向貫穿，檐部配置于坩堝的側(cè)壁上端外周邊的10％以上區(qū)域的外周側(cè)且從側(cè)壁上端外邊的突出長度為50mm以上，開口部形成在距坩堝的側(cè)壁上端內(nèi)邊100mm以內(nèi)的區(qū)域，由開口部形成的坩堝的上端內(nèi)側(cè)區(qū)域的露出面積的合計為坩堝的

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201210073804.5

專利申請（專利權(quán)）人：三菱綜合材料株式會社;三菱材料電子化成株式會社

專利發(fā)明（設計）人：二田伸康;中田嘉信;池田洋

主權(quán)項：一種硅錠制造裝置，具備有保持硅熔液的坩堝、加熱該坩堝的加熱器及朝向所述坩堝內(nèi)供給惰性氣體的惰性氣體供給構(gòu)件，所述硅錠制造裝置的特征在于，具有載置于所述坩堝上的蓋，在所述蓋的平面中心附近連接有所述惰性氣體供給構(gòu)件，所述蓋具有：載置部，載置于所述坩堝的側(cè)壁上端面；檐部，從所述坩堝的側(cè)壁外邊向外側(cè)突出；及開口部，沿厚度方向貫穿，所述檐部配置于所述坩堝的側(cè)壁上端外周邊的10％以上區(qū)域的外周側(cè)，且從所述側(cè)壁上端外邊的突出長度為50mm以上，所述開口部形成在距所述坩堝的側(cè)壁上端內(nèi)邊100mm以內(nèi)的區(qū)域中，由所述開口部

專利地區(qū)：日本