一種具有Si3N4和AlN雙陶瓷結(jié)構(gòu)高溫太陽(yáng)能選擇性吸收涂層及其制備方法專利登記公告
專利名稱：一種具有Si3N4和AlN雙陶瓷結(jié)構(gòu)高溫太陽(yáng)能選擇性吸收涂層及其制備方法
摘要：本發(fā)明提供一種具有Si3N4和AlN雙陶瓷結(jié)構(gòu)高溫太陽(yáng)能選擇性吸收涂層及其制備方法，屬于太陽(yáng)能利用技術(shù)領(lǐng)域。所述的涂層從底層到表面依次為紅外發(fā)射層、吸收層和減反射層；第一層紅外發(fā)射層由Cu膜或者Ag膜組成，厚度在50～250nm；第二層吸收層包括兩個(gè)亞層結(jié)構(gòu)，兩個(gè)亞層均為Si3N4和AlN膜，第三層減反射層為SiO2膜，厚度為20～60nm。本發(fā)明提供的涂層具有可見(jiàn)-紅外光譜高吸收率，紅外光譜低發(fā)射率的特點(diǎn)，并且由于采用雙陶瓷結(jié)構(gòu)的干涉吸收層，具有良好的中高溫?zé)岱€(wěn)定性。且該涂層制備工藝簡(jiǎn)便、操作方便、易于
專利類型：發(fā)明專利
專利號(hào)：CN201210162468.1
專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：北京天瑞星光熱技術(shù)有限公司
專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：張秀廷;陳步亮;范兵;劉雪蓮;王靜;楊興;張晉
主權(quán)項(xiàng)：一種具有Si3N4和AlN雙陶瓷結(jié)構(gòu)高溫太陽(yáng)能選擇性吸收涂層，其特征在于：所述的涂層從底層到表面依次為紅外發(fā)射層、吸收層和減反射層；第一層紅外發(fā)射層由Cu膜或者Ag膜組成，位于基體表面，厚度在50～250nm；第二層吸收層包括兩個(gè)亞層結(jié)構(gòu)，兩個(gè)亞層均為Si3N4和AlN膜，第一亞層和第二亞層的厚度均為50～100nm；第一亞層中Si3N4的體積百分比為20~40%，其余為AlN；第二亞層Si3N4的體積百分比為10~30%其余為AlN；第一亞層位于第一層紅外發(fā)射層上，第二亞層位于第一亞層上；第三層減反射層
專利地區(qū)：北京
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