一種原子尺度石墨烯溝槽的制備方法專(zhuān)利登記公告

專(zhuān)利名稱：一種原子尺度石墨烯溝槽的制備方法

摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種原子尺度石墨烯溝槽的制備方法，該方法首先制備石墨烯，并將其放置在耐高溫襯底上或者懸空；然后在石墨烯表面淀積單個(gè)金屬原子或由若干原子組成的金屬原子簇；單金屬原子或原子簇金屬在設(shè)定溫度400℃～800℃和Ar/H2氛圍下刻蝕石墨烯，形成原子尺度石墨烯溝槽，隨后自然冷卻至室溫后取出，并保存在干燥、真空或超凈環(huán)境內(nèi)。本發(fā)明刻蝕形成的石墨烯槽具有原子尺度平整的邊緣，而且邊緣手性一致，減小了邊緣缺陷對(duì)石墨烯性能的影響。

專(zhuān)利類(lèi)型：發(fā)明專(zhuān)利

專(zhuān)利號(hào)：CN201210213139.5

專(zhuān)利申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：北京大學(xué)

專(zhuān)利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：魏子鈞;葉天揚(yáng);李晨;傅云義;黃如;張興

主權(quán)項(xiàng)：一種原子尺度石墨烯溝槽的制備方法，其步驟包括：1)制備石墨烯，并將其放置在耐高溫襯底上或者懸空；2)在石墨烯表面淀積單個(gè)金屬原子或由若干原子組成的尺度在10nm以下金屬原子簇；3)單個(gè)金屬原子或金屬原子簇在設(shè)定溫度400℃~800℃和Ar/H2氛圍下刻蝕石墨烯，隨后自然冷卻至室溫后取出，并保存在干燥、真空或超凈環(huán)境內(nèi)。

專(zhuān)利地區(qū)：北京