具有單層襯底結(jié)構的高壓晶體管專利登記公告
專利名稱：具有單層襯底結(jié)構的高壓晶體管
摘要： 具有單層襯底結(jié)構的高壓晶體管，包括高壓ＶＤＭＯＳ晶體管，高壓ＶＶＭＯＳ晶體管，高壓ＪＦＥＴ晶體管，高壓ＢＪＦ晶體管，高壓ＧＡＴ晶體管，高壓ＢＪＦＥＴ晶體管，其襯底是具有單一高阻薄層結(jié)構的硅單晶片，屬半導體器件技術領域。其制作工序是采用常規(guī)工藝直接在高阻硅單晶襯底上制造高壓晶體管，然后采用晶片減薄工藝和薄片加工工藝，降低導通電阻。這種工藝的特征在于：把薄硅片同底托片粘接在一起形成復合片，對復合片進行加工。
專利類型：實用新型專利
專利號：CN88213133.8
專利申請（專利權）人：北京市半導體器件研究所
專利發(fā)明（設計）人：李思敏
主權項： 具有單層襯底結(jié)構的高壓晶體管，屬半導體器件領域，包括高壓ＶＤＭＯＳ晶體管，高壓ＶＶＭＯＳ晶體管，高壓ＪＦＥＴ晶體管，高壓ＧＡＴ晶體管，高壓ＢＪＦＥＴ晶體管，其特征在于：高壓晶體管的襯底是不長外延層的高阻硅單晶片，在管芯工藝完成后，通過減薄芯片，即形成具有單一高阻薄層結(jié)構襯底的高壓晶體管。
專利地區(qū)：北京
Tags: 北京
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