采用ＣＭＯＳ集成電路的接近開(kāi)關(guān)專利登記公告
專利名稱：采用ＣＭＯＳ集成電路的接近開(kāi)關(guān)
摘要： 采用ＣＭＯＳ集成電路的接近開(kāi)關(guān)中僅用一片ＣＭＯＳ集成電路中的三個(gè)獨(dú)立的放大器，其中一個(gè)放大器構(gòu)成振蕩電路，另兩個(gè)放大器構(gòu)成整形電路，未用任何晶體三極管，使接近開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)緊湊，可靠性高，抗干擾性能好，輸出電平信號(hào)質(zhì)量高，便于與計(jì)算機(jī)采樣電路連接，功耗極低，可用電池電源供電，能在低溫－５５℃至高溫＋１２５℃環(huán)境下全年候工作，適用于各種運(yùn)動(dòng)設(shè)備的位置信號(hào)檢測(cè)及往復(fù)運(yùn)動(dòng)頻率采樣的場(chǎng)合。
專利類型：實(shí)用新型專利
專利號(hào)：CN88214296.8
專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：劉利民
專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：劉利民
主權(quán)項(xiàng)： 一種電磁感應(yīng)非接觸、無(wú)觸點(diǎn)接近開(kāi)關(guān)，由振蕩、整流濾波、整形輸出電路組成，其特征在于振蕩與整形輸出共用一片ＣＭＯＳ集成電路，傳感器Ｌ與集成電路為導(dǎo)線焊接連接。
專利地區(qū)：北京
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