等離子體加速器法離子鍍膜裝置專利登記公告
專利名稱：等離子體加速器法離子鍍膜裝置
摘要： 一種等離子體加速器法離子鍍膜裝置，屬于物理汽相沉積技術(shù)。本實(shí)用新型注重霍耳加速器效應(yīng)的使用，加速器中帶有圓柱狀永久磁鐵，永久磁鐵與屏蔽相匹配，因此產(chǎn)生的電離蒸汽質(zhì)量高、加速合理、鍍膜效果好，改變了現(xiàn)有技術(shù)液滴微團(tuán)多、加速和鍍膜效果較低的現(xiàn)狀?？捎糜诜陆鹧b飾、工模具硬化等領(lǐng)域。
專利類型：實(shí)用新型專利
專利號(hào)：CN89200444.4
專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：北京長(zhǎng)城鈦金技術(shù)聯(lián)合開發(fā)公司
專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：王殿儒
主權(quán)項(xiàng)：一種等離子體加速器法離子鍍膜裝置，其特征在于：它使用帶有圓柱狀永久磁鐵３的霍耳型等離子體加速器１１作為蒸發(fā)離化源。加速器１１的陰極底座４中放入永久磁鐵３，把永久磁鐵３與筒屏蔽８和平面屏蔽９相匹配產(chǎn)生穩(wěn)定運(yùn)行所需的磁場(chǎng)分布和鍍膜所要求的粒子的加速度以及粒子分布效果。
專利地區(qū)：北京
關(guān)于上述專利公告申明 : 上述專利公告轉(zhuǎn)載自國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)站專利公告欄目，不代表該專利由我公司代理取得，上述專利權(quán)利屬于專利權(quán)人，未經(jīng)（專利權(quán)人）許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如您希望使用該專利，請(qǐng)搜索專利權(quán)人聯(lián)系方式，獲得專利權(quán)人的授權(quán)許可。