寬束冷陰極離子源專利登記公告
專利名稱：寬束冷陰極離子源
摘要： 本實用新型是寬束冷陰極離子源，用于薄膜離子束輔助淀積的裝置，其主要部件是冷陰極、陽極和一個以上多孔引出柵組成的放電室，放電室處于永磁體形成的磁場中，該離子源可安裝于各類真空鍍膜機中，具有離子束束流密度和離子能量調(diào)節(jié)范圍大，束徑大，束流分布均勻，壽命長，性能受工作氣體種類影響小。$本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，制造容易，使用方便，并廣泛使用于鋁、銀、金、硫化鋅、氟化鎂及多種氧化物薄膜的離子束輔助淀積，比用常規(guī)工藝制得的薄膜強度高，化學(xué)穩(wěn)定性和光學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)良。
專利類型：實用新型專利
專利號：CN89217519.2
專利申請（專利權(quán)）人：西安工業(yè)學(xué)院
專利發(fā)明（設(shè)計）人：嚴(yán)一心; 夏慧琴; 盧進軍; 王樹棠; 劉吉祥; 劉衛(wèi)國
主權(quán)項： 一種寬束冷陰極離子源，由冷陰極［１］，陰極座［６］，陽極［２］、永磁體［５］和一個以上的多孔引出柵［３］、［４］組成，其特征在于采用陽極徑向尺寸１０～２００ｍｍ，截面為園形、橢園形和多邊形的柱狀或錐狀；離子束引出系統(tǒng)由一個以上的多孔引出柵構(gòu)成；陽極、冷陰極和多孔柵構(gòu)成放電室；放電室周圍放置鈷合金永磁體。
專利地區(qū)：陜西
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