化學(xué)機械拋光的方法專利登記公告
專利名稱：化學(xué)機械拋光的方法
摘要：一種化學(xué)機械拋光的方法，包括：提供拋光層；采用堿性的研磨漿料研磨所述拋光層；采用酸性的緩沖劑去除研磨后形成在所述拋光層表面的殘留物層；在去除所述殘留物層之后，形成覆蓋所述拋光層的鈍化層。本發(fā)明實施例的化學(xué)機械拋光的方法，拋光層表面的平整度高，半導(dǎo)體器件的成品率高，長期穩(wěn)定性好。
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201110068908.2
專利申請（專利權(quán)）人：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
專利發(fā)明（設(shè)計）人：趙峰;鄧武鋒;趙敬民;陳楓;劉俊良
主權(quán)項：一種化學(xué)機械拋光的方法，其特征在于，包括：提供拋光層；采用堿性的研磨漿料研磨所述拋光層；采用酸性的緩沖劑去除研磨后形成在拋光層表面的殘留物層；在去除所述殘留物層之后，形成覆蓋所述拋光層的鈍化層。
專利地區(qū)：上海
Tags: 上海
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