一種拋光裝置及晶片拋光方法專利登記公告
專利名稱：一種拋光裝置及晶片拋光方法
摘要：本發(fā)明提出一種拋光裝置及晶片拋光方法，包括研磨機(jī)臺(tái)，在所述研磨機(jī)臺(tái)上依次安置四個(gè)拋光墊，分別為第一拋光墊，第二拋光墊，第三拋光墊及第四拋光墊，在所述第三拋光墊與第四拋光墊之間安置特征尺寸測(cè)控反饋單元，以測(cè)量所述晶片的特征尺寸，計(jì)算出精準(zhǔn)的拋光參數(shù)并反饋至所述第四拋光墊。本發(fā)明在第三拋光墊之后設(shè)置特征尺寸測(cè)控反饋單元和第四拋光墊，通過(guò)特征尺寸測(cè)控反饋單元對(duì)第三拋光墊拋光之后的晶片金屬電路的特征尺寸進(jìn)行測(cè)量，進(jìn)而修整并設(shè)定第四拋光墊拋光的精準(zhǔn)時(shí)間及壓力等參數(shù)，在拋光過(guò)程中就現(xiàn)了晶片特征尺寸的監(jiān)控測(cè)量，節(jié)約了拋
專利類型：發(fā)明專利
專利號(hào)：CN201110070602.0
專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：鄧武鋒
主權(quán)項(xiàng)：一種拋光裝置，其特征在于，包括研磨機(jī)臺(tái)，在所述研磨機(jī)臺(tái)上依次安置四個(gè)拋光墊，分別為第一拋光墊，第二拋光墊，第三拋光墊及第四拋光墊，在所述第三拋光墊與第四拋光墊之間安置特征尺寸測(cè)控反饋單元，以測(cè)量所述第三拋光墊拋光后的晶片的特征尺寸，計(jì)算出精準(zhǔn)的拋光參數(shù)并反饋至所述第四拋光墊。
專利地區(qū)：上海
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