化學(xué)機(jī)械研磨方法專利登記公告

專利名稱：化學(xué)機(jī)械研磨方法

摘要：本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨方法，該方法用于對(duì)多個(gè)前端器件結(jié)構(gòu)依次進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，前端器件結(jié)構(gòu)均包括具有測(cè)試溝槽的層間介電層以及形成在層間介電層上的待研磨金屬材料層，其特征在于，利用前一晶片的實(shí)際研磨時(shí)間、前一晶片研磨前與研磨后的測(cè)試溝槽橫截面積的變化值以及下一晶片研磨后的測(cè)試溝槽橫截面積的目標(biāo)值來(lái)計(jì)算下一晶片的實(shí)際研磨時(shí)間，并且第1個(gè)前端器件結(jié)構(gòu)的研磨時(shí)間t1是預(yù)定值。由于溝槽中填充有金屬?gòu)亩纬涉u塞結(jié)構(gòu)或者銅互連結(jié)構(gòu)，而通過(guò)研磨時(shí)間來(lái)控制研磨去除的測(cè)試溝槽的面積大小，從而可以更好地控制研磨后的測(cè)試溝槽

專利類(lèi)型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201110072338.4

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：趙峰;趙敬民;鄧武鋒;陳楓;劉俊良

主權(quán)項(xiàng)：一種化學(xué)機(jī)械研磨方法，所述方法用于對(duì)多個(gè)前端器件結(jié)構(gòu)依次進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，所述前端器件結(jié)構(gòu)均包括具有測(cè)試溝槽的層間介電層以及形成在所述層間介電層上的待研磨金屬材料層，其特征在于，所述方法還包括：a）對(duì)第n個(gè)前端器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行時(shí)間長(zhǎng)度為tn的化學(xué)機(jī)械研磨，n為正整數(shù)；b）對(duì)第n+1個(gè)前端器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行時(shí)間長(zhǎng)度為tn+1的化學(xué)機(jī)械研磨，所述tn+1=fn?×tn×(SE(n+1)?S0)/(SEn?SPn)，其中，fn的取值范圍為0.5~5，SEn和SPn分別是所述第n個(gè)前端器件結(jié)構(gòu)的測(cè)試溝槽研磨前與研磨后的橫截

專利地區(qū)：上海